Hem Vetenskap och teknik Intel utlovar en biljon transistorer år 2030

Intel utlovar en biljon transistorer år 2030

förbi admin
0 kommentar

För att kunna tillverka mer avancerade och högpresterande men energieffektiva kretsar har krympning av transistorer länge varit av största vikt. Detta för att få in ett högre antal transistorer på en given kretsarea, något som med tiden blivit både svårare och dyrare i takt med att byggstenarna blir allt mindre.

I samband med evenemanget IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM) presenterar Intel vad bolaget ser som framtiden vad gäller kretstillverkning, med nya strategier och tekniker tänkta att tas i bruk de kommande åren. Bland flera minst sagt ambitiösa mål utlovas bland annat kretsar med en biljon transistorer, det vill säga 1 000 miljarder, till år 2030.

Det är över tio gånger så många transistorer som de 80 miljarder i Nvidias beräkningskrets H100 “Hopper”, eller för den delen de 76 miljarder som huserar i AD102 och Geforce RTX 4090. Till skillnad från Nvidias nuvarande avancerade kretsar är Intels mål däremot inte att nå det antalet på en monolitisk krets, och likt konkurrenten AMD vänder de blicken mot chiplet-design.

Med chiplet-design kan vad som tidigare placerades på en monolitisk krets delas upp i flera och sedan kombineras. Det gör det möjligt att exempelvis använda olika tillverkningstekniker, något som även kan vara en kostnadsmässigt fördel. Det argumentet använder redan AMD flitigt, nu senast om grafikkorten i Radeon RX 7000-serien. Därtill lämpar sig olika tillverkningstekniker olika bra beroende på vad kretsens syfte är.

qMRpQQmymU81KaJk.jpg

intel-12_videocardz.jpg

Användning av chiplets är inte nytt i sig, varför Intels nyheter även inkluderar nya material, tekniker för att paketera kretsar och inte minst mer avancerad kommunikation kretsar emellan. Detta är av särskild vikt vid chiplet-design, eftersom en av teknikens nackdelar är den latens som kan uppstå när de olika kretsarna i samma färdiga produkt ska kommunicera med varandra.

Sist men inte minst lyfter Intel möjligheter till staplade minneskretsar, liknande vad som redan görs med NAND-minne, där bland annat Micron rymmer 2 TB på kretspaket i storleksklassen fingernagel genom att stapla 232 lager ovanpå varandra. Intel pekar dock mot tekniken Ferroelectric Random Access Memory (FERAM), som de både lyckats stapla och menar kan bli ett komplement till det traditionella SRAM som vanligen utgör cacheminne i processorer.

Källa: Videocardz, Semi14

Du kanske också gillar